Записи с меткой: Оксид гафния

Учёные «ощупали» материал для памяти будущего

Учёные «ощупали» материал для памяти будущего

Физики из МФТИ детально описали процесс переключения электрической поляризации оксида гафния, на основе которого многие исследователи предлагают делать запоминающие ячейки для компьютерных устройств нового поколения. На страницах журнала ACS Applied Materials and Interfaces учёные представили данные о поведении этого перспективного материала на микроскопическом уровне...

подробнее »